Коммуникаторы станут еще ближе к персональным компьютерам. Samsung приступила к серийному выпуску 12-Гбит микросхем памяти LPDD4, построенных в рамках 20-нм технологического процесса. В итоге появляется возможность для смартфонов, оснащенных невероятным объемом оперативной памяти в 6 Гбайт.

Таким образом, южнокорейский гигант стал первой компанией в мире, реализовавшей такое достижения. В пресс-релизе Samsung отмечается, что это позволит создавать смартфоны с 6 ГБ оперативной памяти.

На первый взгляд эти цифры не сходятся, но нужно отметить разницу между строчными и заглавными буквами 'Б'. Гб означает Гигабит, в то время, как ГБ - Гигабайт. Так как в одном байте 8 бит, то чип 12 Гб может фактически содержать 1,5 ГБ информации. Объединив вместе четыре таких чипа, Samsung теперь сможет производить смартфоны с огромным объемом оперативной памяти 6 ГБ.

Представители Samsung утверждают, что новые чипы памяти 12 Гб LPDDR4 будут работать на 30 процентов быстрее по сравнению с 8 Гб чипами компании, потребляя при этом на 20 % меньше энергии.

Еще в декабре прошлого года Samsung стала первой компанией, запустившей массовое производство чипов памяти 8 Гб (1 ГБ) LPDDR4. Смартфоны OnePlus 2, Samsung Galaxy S6 Edge+, и Galaxy Note 5 используют четыре микросхемы памяти 8 Гб от Samsung общим объемом ОЗУ 4 ГБ, которая является максимальной среди доступных на сегодняшний день гаджетов.

Samsung расчитывает, что новые флагманы с 6 ГБ оперативной памяти смогут обеспечить "плавную работу в режиме многозадачности и максимальную производительность в новейших операционных системах".